智東西12月15日消息，近日在IEEE電子器件會議（IEDM）上，臺積電、加州大學(xué)圣地亞哥分校、斯坦福大學(xué)的工程師介紹了一種新的制造工藝，能夠更好地控制碳納米晶體管沉積高K電介質(zhì)，這種控制對于確保晶體管在需要時完全關(guān)閉至關(guān)重要。

   簡單地說，該研究團隊發(fā)明了一種制造柵極電介質(zhì)的新工藝。柵極電介質(zhì)是一種在柵電極和晶體管溝道區(qū)之間的絕緣層，在工作時，柵極處的電壓會在溝道區(qū)中形成電場，從而切斷電流。

   近年來，人們對碳納米晶體管的興趣越來越高，主要原因在于它們有可能做到比硅晶體管縮得更小，并提供了一種比硅晶體管更容易制造出多層電路的方法。得益于一系列發(fā)展，如今的碳納米管也逐漸接近硅的功能。

   但幾十年來，隨著硅晶體管尺寸逐漸縮小，由二氧化硅制成的絕緣層必須變得越來越薄，以便用更少的電壓來控制電流，從而降低能耗。最終，絕緣屏障變得非常薄，薄到電荷都可以穿過它，從而導(dǎo)致電流泄漏、浪費能量。

   因此，如何解決晶體管的漏電和能量浪費等問題，也是行業(yè)一直研究的重要方向。

   一、以往的二氧化鉿新介電材料仍存在問題

   十多年前，硅半導(dǎo)體行業(yè)通過改用一種新的介電材料——二氧化鉿（hafnium dioxide，HfO2）解決了這一問題。

   與二氧化硅相比，二氧化鉿具有較高的介電常數(shù)（High-K），意味著一個相對較厚的高K電介層在電氣上等效于一個非常薄的氧化硅層。

   盡管研究人員們希望在碳納米管晶體管中使用二氧化鉿來形成柵極電介質(zhì)，但碳納米管有一個問題是——它們無法在按比例縮小的設(shè)備所需薄層中形成高K電介質(zhì)。

   高K電介質(zhì)如何形成？它的沉積方法稱為原子層沉積。顧名思義，它是一種在硅的表面自然形成的氧化層，像原子一樣薄。但它一次只能構(gòu)建一個原子層，并需要一個能夠形成沉積的“基座”。

   但由于二氧化碳和一氧化碳都屬于氣體，碳納米管并沒有能形成沉積的“立足點”，無法自然形成氧化層。同時，納米管中任何可能導(dǎo)致所需“懸掛鍵”的缺陷都會限制其傳導(dǎo)電流的能力。

   懸掛鍵是一種化學(xué)鍵，一般晶體因晶格在表面處突然終止，在表面的最外層的每個原子將有一個未配對的電子，即有一個未飽和的鍵，這個鍵稱為懸掛鍵。

▲納米管（中心微弱的圓）和晶體管柵極（頂部的黑色部分）

   二、形成高K電介質(zhì)新解法：二氧化鉿與氧化鋁結(jié)合

  “形成高K電介質(zhì)一直是一個大問題。”臺積電首席科學(xué)家、斯坦福大學(xué)教授黃漢森談到，必須基本上將比納米管更厚的氧化物傾倒在納米管頂部，而不是倒在縮小的晶體管中。

   他認為，如果要弄清楚為什么會出現(xiàn)這個問題，可以把柵極電壓的作用想象成用腳踩在花園的水管上，嘗試阻止水從水管中流過，但如果在腳和水管之間放一堆枕頭（類似一個厚的氧化物），想要阻止水流經(jīng)過就會變得更加困難。

   臺積電的Matthias Passlack和加州大學(xué)圣地亞哥分校的Andrew Kummel教授提出了一個解決方案，就是將二氧化鉿的原子層沉積與沉積中間的介電常數(shù)材料氧化鋁（Al2O3）結(jié)合起來。

   氧化鋁是使用加州大學(xué)圣地亞哥分校發(fā)明的納米霧工藝沉積的。像水蒸氣凝結(jié)形成霧一樣，氧化鋁凝結(jié)成簇覆蓋在納米管表面，以便二氧化鉿可以將表面的電介質(zhì)作為立足點，開始進行原子層沉積。

   這兩種介質(zhì)的綜合電學(xué)特性使該團隊能夠在只有15nm寬的柵極下，制造出厚度小于4nm的柵極電介質(zhì)，最終得到的器件與硅CMOS器件具有相似的I/O電流比特性。同時仿真表明，即使是具有更薄柵極電介質(zhì)的小器件也能正常工作。

   三、碳納米管超越硅晶體管仍有一定距離

   但在碳納米管器件能夠與硅晶體管相媲美之前，還有很多工作需要完成。目前，盡管一些問題已得到解決，但尚未整合到單個設(shè)備中。

   例如，黃漢森提出的設(shè)備中單個納米管限制了晶體管可以驅(qū)動的電流。他也提到，要讓多個相同的納米管完美對齊一直是個挑戰(zhàn)。

   但在近期，北京大學(xué)彭連茂教授的實驗室研究人員成功通過技術(shù)讓每微米排列了250個碳納米管，這意味著相應(yīng)的解決方案可能很快就會出現(xiàn)。

   另一個問題是設(shè)備的金屬電極和碳納米管之間的電阻，特別是當這些觸點的尺寸縮小接近至當下先進硅芯片使用的尺寸時。

   去年，黃漢森教授的學(xué)生Greg Pitner（現(xiàn)為臺積電研究員及IEDM研究的主要作者）報告了一種方法，可以將一種接觸類型（P型）的電阻降低到只有10nm接觸理論極限的兩倍以內(nèi)。

   但碳納米管的N型觸點還未達到類似的性能水平，同時CMOS邏輯芯片也包含兩種類型。

   還有一個問題是需要摻雜碳納米管以增加?xùn)艠O兩邊的載流子數(shù)量，主要在硅中通過用其他元素替換晶格中的一些原子來實現(xiàn)。

   但這在碳納米管中是行不通的，因為這會破壞結(jié)構(gòu)的電子能力。相反，碳納米管晶體管使用的是靜電摻雜。在這種情況下，介電層的成本會被有意地操縱，以將電子抽出來或為納米管提供電子。

   黃漢森提到，他以前的學(xué)生Rebecca Park在該層中使用氧化鉬取得了很好效果。

   結(jié)語：半導(dǎo)體晶體管創(chuàng)新任重道遠

   隨著近年來摩爾定律逐漸放緩，行業(yè)也一直嘗試從材料、封裝、工藝等不同方向來探索晶體管進一步創(chuàng)新發(fā)展的可能性。

   但目前看來，盡管每個研究方向都有了一定的進展，但它們的可行性離真正落地還有較遠的距離。如何將這些創(chuàng)新成果更好地結(jié)合在一起，以開發(fā)出超越硅的技術(shù)，研究人員們想要實現(xiàn)的這一未來仍任重道遠。
                                                                                                                                                            （來源：智東西）